onsemi N Kanal, MOSFET, 119 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- RS-artikelnummer:
- 220-569
- Tillv. art.nr:
- NTMFS4D0N08XT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
49,62 kr
(exkl. moms)
62,03 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 410 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 9,924 kr | 49,62 kr | - |
| 50 - 95 | 9,43 kr | 47,15 kr | 4% |
| 100 - 495 | 8,736 kr | 43,68 kr | 11% |
| 500 - 995 | 8,042 kr | 40,21 kr | 18% |
| 1000 + | 7,75 kr | 38,75 kr | 21% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-569
- Tillv. art.nr:
- NTMFS4D0N08XT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 119A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 107W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Längd | 6.15mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 119A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 107W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Längd 6.15mm | ||
Höjd 1mm | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
ON Semiconductor MOSFET är en förstklassig produkt på 80 V-marknaden. Denna produkt är den bästa lösningen inom molnkraft, 5G-telekommunikation, andra PSU-tillämpningar, DC/DC och industriella tillämpningar. Detta ger bättre prestanda med förbättrad systemeffektivitet och hög effekttäthet med funktioner under prestanda.
Halogenfri
RoHS-märkt
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 181 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 154 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 136 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 380 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 349 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 278 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 233 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS