onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 41.9 A 150 V N, 8 Ben, SO-8, NTMFS
- RS-artikelnummer:
- 229-6469
- Tillv. art.nr:
- NTMFS022N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
102,14 kr
(exkl. moms)
127,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 640 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 20,428 kr | 102,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-6469
- Tillv. art.nr:
- NTMFS022N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 41.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | NTMFS | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 80.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Längd | 6.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 41.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie NTMFS | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal effektförlust Pd 80.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.3mm | ||
Längd 6.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Minimize conduction losses
Minimize driver losses
Lowers switching noise/EMI
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 41.9 A 150 V N SO-8, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal 237 A 40 V N SO-8, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal 276 A 60 V Förbättring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal 78 A 30 V Förbättring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal 323 A 40 V Förbättring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal 273 A 40 V Förbättring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal 201 A 80 V Förbättring SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal 31 A 150 V Förbättring PQFN, NTMFS
