onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 237 A 40 V N, 8 Ben, SO-8, NTMFS
- RS-artikelnummer:
- 229-6470
- Tillv. art.nr:
- NTMFS5C426NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 229-6470
- Tillv. art.nr:
- NTMFS5C426NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 237A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | NTMFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 128W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 93nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 237A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie NTMFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 128W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 93nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor N-kanals effekt-MOSFET har låg påslagningsresistans och låg grindladdning. Den har 237 A dräneringsström. Den används i punktbelastningsmoduler, högpresterande DC-DC-omvandlare och DC-motordrivare.
Minimera ledningsförluster
Minimera omkopplingsförluster
Utrymmesbesparande, termiskt förbättrad
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 237 A 40 V N, 8 Ben, SO-8, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 41.9 A 150 V N, 8 Ben, SO-8, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 276 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 78 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 201 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 323 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 164 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS