Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
229-1852
Tillv. art.nr:
IPZ40N04S55R4ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PQFN

Serie

IPZ

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

48W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.05mm

Bredd

3.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons n-kanal normala nivå MOSFET används för fordonstillämpningar. Den har 175 °C drifttemperatur och 100 procent avalanche-testad.

Den är RoHS-kompatibel och AEC Q101-kvalificerad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.