Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

9 380,00 kr

(exkl. moms)

11 725,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,752 kr9 380,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
229-1831
Tillv. art.nr:
IPD50N08S413ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

13.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

72W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.3mm

Längd

6.5mm

Bredd

6.22mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons n-kanal MOSFET har 175 °C drifttemperatur och 100 procent avalanche-testad.

Den är RoHS-kompatibel och AEC Q101-kvalificerad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.