Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IPC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1830
- Tillv. art.nr:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
128,23 kr
(exkl. moms)
160,29 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 8,549 kr | 128,24 kr |
| 75 - 135 | 8,124 kr | 121,86 kr |
| 150 - 360 | 7,765 kr | 116,48 kr |
| 375 - 735 | 7,437 kr | 111,56 kr |
| 750 + | 6,929 kr | 103,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1830
- Tillv. art.nr:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IPC | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.58mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.25mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IPC | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.58mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.25mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IPC-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 50 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPC50N04S55R8ATMA1
Denna MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för omkopplings- och styrfunktioner i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett utökat temperaturområde som är lämpligt för tuffa miljöer och ger en N-kanalförstärkningsenhet med låg påslagningsresistans för effektiv strömförsörjning i kompakta monteringar.
Funktioner och fördelar:
• Låg Rds(on) på 5.8 mΩ minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• 40 V Vds möjliggör omkopplingsförmåga vid måttlig spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 50 A stöder tillämpningar med hög ström
• 42 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 13 nC typisk grindladdning ger snabbare omkoppling med lägre drivenergi
• 20 V maximal gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• 40 V Vds möjliggör omkopplingsförmåga vid måttlig spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 50 A stöder tillämpningar med hög ström
• 42 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 13 nC typisk grindladdning ger snabbare omkoppling med lägre drivenergi
• 20 V maximal gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Används med motordrivkretsar som kräver hög kontinuerlig ström
• Kan användas för omkoppling av högströmslaster i styrenheter
• Används för värmestressad elektronik som drivs vid förhöjda temperaturer
• Idealisk för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Används med motordrivkretsar som kräver hög kontinuerlig ström
• Kan användas för omkoppling av högströmslaster i styrenheter
• Används för värmestressad elektronik som drivs vid förhöjda temperaturer
Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?
Den fungerar från -55 °C upp till 175 °C för att passa breda termiska miljöer.
Vilket förpacknings- och monteringsformat använder den?
Den levereras i ett kompakt SuperSO-paket avsett för ytmontering.
Hur många stift finns tillgängliga för kretskortsintegrering?
Enheten använder en 8-polig konfiguration för anslutning och termiska vägar.
Vilken typ av kanalkonduktion använder den och hur fungerar den?
Det är en N-kanal-enhet som arbetar i förstärkningsläge och kräver en positiv grinddrivning.
Är denna enhet lämplig för fordonskvalificeringskrav?
Den uppfyller AEC‐Q101 fordonsstandardisering för val av komponenter.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IPC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IPC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IPC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5 AEC-Q101