Vishay N Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2957
- Tillv. art.nr:
- SQJ152EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
106,85 kr
(exkl. moms)
133,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 10,685 kr | 106,85 kr |
| 100 - 240 | 10,058 kr | 100,58 kr |
| 250 - 490 | 9,072 kr | 90,72 kr |
| 500 - 990 | 8,546 kr | 85,46 kr |
| 1000 + | 7,997 kr | 79,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2957
- Tillv. art.nr:
- SQJ152EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 114A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 114A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET fordons-N-kanal är en 40 V effekt-MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -128 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 500 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 373 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 467 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 99 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 33.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101