Vishay N Kanal, MOSFET, 201 A 25 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2889
- Tillv. art.nr:
- SiJA22DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
17 775,00 kr
(exkl. moms)
22 218,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,925 kr | 17 775,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2889
- Tillv. art.nr:
- SiJA22DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 201A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.74mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 201A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.74mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 201 A 25 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET