Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2824
- Tillv. art.nr:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
11 418,00 kr
(exkl. moms)
14 274,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,806 kr | 11 418,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2824
- Tillv. art.nr:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 65A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 65A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET används för DC/DC primärsidoswitch, telekom/server, motorstyrning och synkron likriktare.
Mycket låg Qg och Qoss minskar effektförlusten och
förbättra effektiviteten
Optimerat Qg, Qgd och Qgd/Qgs-förhållande minskar
omkopplingsrelaterad effektförlust
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET