Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2823
- Tillv. art.nr:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
115,02 kr
(exkl. moms)
143,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 5 530 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,502 kr | 115,02 kr |
| 100 - 240 | 10,909 kr | 109,09 kr |
| 250 - 490 | 8,646 kr | 86,46 kr |
| 500 - 990 | 8,053 kr | 80,53 kr |
| 1000 + | 6,328 kr | 63,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2823
- Tillv. art.nr:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | TSSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp TSSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay TrenchFET P-kanal effekt-MOSFET används för lastomkopplare, batteromkopplare och strömhantering.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 12.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -3.1 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET