Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2813
- Tillv. art.nr:
- Si2387DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 228-2813
- Tillv. art.nr:
- Si2387DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay TrenchFET Gen IV P-kanals effekt-MOSFET används för lastomkopplare, kretsskydd och motorstyrning.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET