Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 602 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 225-9968
- Tillv. art.nr:
- SQJQ160E-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
261,18 kr
(exkl. moms)
326,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 000 enhet(er) levereras från den 02 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 52,236 kr | 261,18 kr |
| 50 - 120 | 47,018 kr | 235,09 kr |
| 125 - 245 | 41,284 kr | 206,42 kr |
| 250 - 495 | 38,124 kr | 190,62 kr |
| 500 + | 27,708 kr | 138,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-9968
- Tillv. art.nr:
- SQJQ160E-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 602A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | N-Channel 60 V | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8L) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 600W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 183nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 602A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie N-Channel 60 V | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8L) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 600W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 183nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 1.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix upprätthåller tillförlitlighetsdata för halvledarteknik och pakettillförlitlighet representerar en sammansättning av alla kvalificerade platser.
AEC-Q101-godkänd
100 % Rg och UIS testade
Tunn 1,6 mm kapsling
Mycket lågt värmemotstånd
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 602 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 278 A 60 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Enkel, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 248 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 315 A 40 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 437 A 30 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 62.3 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V