Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

148,38 kr

(exkl. moms)

185,475 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 475 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +29,676 kr148,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4986
Tillv. art.nr:
SIHG17N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

15A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

E

Kapseltyp

TO-247AC

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

250mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

41nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

179W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

35.3mm

Bredd

15.66mm

Höjd

4.83mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay serie E Power MOSFET, 800 V maximal drain-källspänning, 15 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHG17N80AE-GE3


Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor som är utformad för genomgående hålmontering i industriell kraftelektronik. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande spänningshuvudutrymme och måttlig kontinuerlig ström, vilket ger en robust halvledarlösning för omkopplings- och strömomvandlingsroller.

Funktioner och fördelar:


• Maximal drain-källspänning på 800 V möjliggör högspänningsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 15 A stöder långvarig belastning
• Maximal Rds(on) på 250 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 179 W effektförlust möjliggör betydande termisk hantering
• 41 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 30 V gränsen för grindkälla möjliggör standardgrinddrivarspänningar

Användningsområden


• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för industriella växelriktarsteg och motorstyrning frontändar
• Används för effektfaktorkorrigeringskretsar i nätutrustning
• Kan användas för isolerade högspänningsomvandlare
• Lämplig för laboratorietestplåtar som kräver genomgående hålkomponenter

Vilken kapslingstyp tillhandahålls för prototyputveckling och värmeavledning?


Enheten levereras i en TO-247AC-förpackning med genomgående hål som underlättar robust montering och fästning av standardkylare för värmehantering.

Vilket kopplingstemperaturområde kan förväntas under drift?


Komponenten är klassad för drift upp till en maximal temperatur på 150 °C med en minsta specificerad gräns på -55 °C för förvaring och lågtemperaturdrift.

Hur påverkar dess gate-laddningsspecifikation omkopplingsdesignen?


En typisk grindladdning på 41 nC vid nominell grindstyrning gör det möjligt för designers att uppskatta grindstyrningsenergi och välja lämpliga drivrutiner för att balansera omkopplingshastighet och EMI.

Vilka monterings- och stiftantalöverväganden gäller för kretslayout?


Delen använder ett tre-stifts genomgående hålformat, vilket möjliggör säker kortfixering och enkel anslutning i konventionella strömlayouter.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.