STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- RS-artikelnummer:
- 111-6480
- Tillv. art.nr:
- STW28N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
102,70 kr
(exkl. moms)
128,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 51,35 kr | 102,70 kr |
| 20 - 98 | 41,775 kr | 83,55 kr |
| 100 - 198 | 31,865 kr | 63,73 kr |
| 200 + | 28,225 kr | 56,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 111-6480
- Tillv. art.nr:
- STW28N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.75mm | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.75mm | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmesh DM2-serien, STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET:erna erbjuder låg RDS(on) och med den förbättrade diodens omvända återhämtningstid för effektivitet är denna serie optimerad för fullbrygga fasförskjutna ZVS-topologier.
Hög dV/dt-kapacitet för förbättrad systemtillförlitlighet
AEC-Q101-godkänd
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M9
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5