Infineon N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SN7002I
- RS-artikelnummer:
- 225-0583
- Tillv. art.nr:
- SN7002IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
999,00 kr
(exkl. moms)
1 248,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,333 kr | 999,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,317 kr | 951,00 kr |
| 15000 + | 0,303 kr | 909,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-0583
- Tillv. art.nr:
- SN7002IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SN7002I | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.4mm | |
| Höjd | 3.4mm | |
| Bredd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SN7002I | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.4mm | ||
Höjd 3.4mm | ||
Bredd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon SN7002I är små signal- och P-kanal-MOSFET med liten effekt och ger ett brett utbud av VGS(th)-nivåer och RDS(on)-värden samt flera spänningsklasser. Denna MOSFET har alternativ för förstärkning och utarmningsläge.
Utrymmes- och kostnadsbesparingar för kretskort
Gate Drive-flexibilitet
Minskad designkomplexitet
Miljövänligt
Hög total effektivitet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SN7002I
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET