Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSP135I AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

51,30 kr

(exkl. moms)

64,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 905,13 kr51,30 kr
100 - 2404,894 kr48,94 kr
250 - 4904,682 kr46,82 kr
500 - 9904,458 kr44,58 kr
1000 +4,155 kr41,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
225-0555
Tillv. art.nr:
BSP135IXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

BSP135I

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

60Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.8W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.7mm

Höjd

1.8mm

Bredd

3.7mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon BSP135I-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 120 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSP135IXTSA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalutarmningsenhet som är utformad för ytmonterad effektstyrning under krävande driftsförhållanden. Den fungerar som en omkopplings- och strömstyrningskomponent som kan hantera förhöjd dränerings-till-källspänning samtidigt som den arbetar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för tuffa miljöer.

Funktioner och fördelar:


• 600 V avtappnings-till-källklassning möjliggör högspänningsomkoppling
• Maximal RDS(on) på 60 Ω ger låg ledningsförlust i påläge
• Maximal effektförlust på 1.8 W stöder blygsamma termiska belastningar
• 120 mA kontinuerlig dräneringsström för stabila lågströmstillämpningar
• 3.7 nC typisk grindladdning för förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximalt 20 V gate-source-motstånd för robust gate-hantering

Användningsområden


• Lämplig för högspänningskopplingskretsar i strömförsörjningar
• Idealisk för fordonselektronik som kräver robusta komponenter
• Används med ytmonterade enheter på kompakta kort
• Kan användas för strömbegränsning eller avkänning i styrkretsar
• Lämplig för miljöer med värmestress från −55 °C till 150 °C

Vilken typ av förpackning använder den för kretskortsmontering?


Den levereras i ett SOT-223-paket konfigurerat för ytmontering.

Vilken elektrisk polaritet och vilket ledningsläge använder den?


Enheten är N-kanal och fungerar i utarmningsläge.

Vilket antal stift finns tillgängligt för kortlayout?


Komponenten har fyra stift för anslutning och montering.

Vilken fysisk profil bör tillåtas för kapslingsdesign?


Komponenten mäter 6,7 mm längd, 3,7 mm bredd och 1,8 mm höjd.

Vilken fordonsstandard uppfylls för fordonsanvändning?


Den överensstämmer med AEC‐Q101-standarden för fordonskomponenter.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.