Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 225-0555
- Tillv. art.nr:
- BSP135IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
51,30 kr
(exkl. moms)
64,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,13 kr | 51,30 kr |
| 100 - 240 | 4,894 kr | 48,94 kr |
| 250 - 490 | 4,682 kr | 46,82 kr |
| 500 - 990 | 4,458 kr | 44,58 kr |
| 1000 + | 4,155 kr | 41,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-0555
- Tillv. art.nr:
- BSP135IXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | BSP135I | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie BSP135I | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon BSP135I är små signal- och P-kanal-MOSFET med liten effekt och ger ett brett utbud av VGS(th)-nivåer och RDS(on)-värden samt flera spänningsklasser. Denna MOSFET har alternativ för förstärkning och utarmningsläge.
Utrymmes- och kostnadsbesparingar för kretskort
Gate Drive-flexibilitet
Minskad designkomplexitet
Miljövänligt
Hög total effektivitet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSS123I
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101