Infineon N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSS123I

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 569,00 kr

(exkl. moms)

1 962,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,523 kr1 569,00 kr
6000 - 120000,497 kr1 491,00 kr
15000 +0,476 kr1 428,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
225-0556
Tillv. art.nr:
BSS123IXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

190mA

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

BSS123I

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

10Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.63nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.7mm

Höjd

1.8mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.7mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon BSS123I-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 190 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSS123IXTSA1


Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med liten signal som är utformad för ytmonteringstillämpningar och ger omkopplings- och förstärkningsfunktioner över ett brett temperaturområde. Den är avsedd för kretsar som kräver en utarmningsläge med blygsam strömhantering och måttlig spänningskapacitet, lämplig för kompakta enheter där ett SOT-223-paket och sparsam strömhantering krävs.

Funktioner och fördelar:


• 100 V drain-to-source-klassning ger högspänningsomkopplingsförmåga
• Maximal RDS(on) på 10 Ω ger kontrollerad ledning i påläge
• 190 mA kontinuerlig dräneringsström stöder laster med låg ström
• 0,5 W effektförlust begränsar termisk belastning i trånga utrymmen
• 0,63 nC typisk grindladdning möjliggör blygsamma krav på omkopplingsenergi
• ±20 V gate-tolerans möjliggör stor flexibilitet för gate-drivning

Användningsområden


• Används för lågströms- och högspänningsomkoppling i styrkretsar
• Lämplig för ytmonterad strömhantering på kompakta kort
• Idealisk för analog signaldämpning eller pull-down-funktioner
• Kan användas för nivåförskjutning i blandade spänningssystem
• Används med drivsteg som behöver utarmningslägesegenskaper

I vilket omgivningstemperaturområde kan den fungera?


Den är specificerad för att fungera korrekt från -55 °C upp till 150 °C.

Vilket paket bör designers planera för när de lägger ut kortet?


Enheten levereras i en SOT-223-förpackning för ytmontering med fyra stift för kretskortsplanering.

Hur påverkar dess grindladdning omkopplingsprestanda?


En typisk grindladdning på 0,63 nC minskar behovet av grinddrivenergi och påverkar övergångshastigheten i switchtopologier.

Vad begränsar den maximala kontinuerliga strömmen i applikationer?


Den specificerade kontinuerliga dräneringsströmmen på 190 mA definierar termiska och ledningsgränser för kontinuerlig drift.

Är detta avsett som en komponent av fordonskvalitet?


Det är inte klassificerat enligt fordonsstandarder och bör inte antas uppfylla fordonskvalificering.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.