Sök efter MPN

ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 40 V P, 8 Ben, TSMT, RQ7G080AT

RS-artikelnummer:: 223-6375
Tillv. art.nr:: RQ7G080ATTCR
Tillverkare / varumärke:: ROHM

ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 40 V P, 8 Ben, TSMT, RQ7G080AT

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

RS-artikelnummer:: 223-6375
Tillv. art.nr:: RQ7G080ATTCR
Tillverkare / varumärke:: ROHM

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	ROHM
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TSMT
	Serie	RQ7G080AT
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	18mΩ
	Kanalläge	P
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	37nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.5W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke ROHM
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TSMT
	Serie RQ7G080AT
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ
	Kanalläge P
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.5W
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - RQ7G080ATTCR

ROHMs effekt-MOSFET har TSMT8-kapseltyp. Den används huvudsakligen för omkoppling.

Låg påslagningsresistans

Litet paket för ytmontering

Blyfri plätering, RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.