Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4916
- Tillv. art.nr:
- IPL60R185P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 25 till för att spara 161,25 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
161,39 kr
(exkl. moms)
201,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | 32,278 kr | 161,39 kr | - |
| 25 - 45 | 25,828 kr | 129,14 kr | 161,25 kr |
| 50 - 120 | 23,90 kr | 119,50 kr | 418,90 kr |
| 125 - 245 | 22,266 kr | 111,33 kr | 1 251,50 kr |
| 250 + | 20,676 kr | 103,38 kr | 2 900,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4916
- Tillv. art.nr:
- IPL60R185P7AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPL60R | |
| Kapseltyp | ThinPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 185mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPL60R | ||
Kapseltyp ThinPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 185mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 8.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOSTM P7 är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Bäst i klassen R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på CoolMOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
ESD-hårdhet på ≥ 2 kV (HBM klass 2)
Integrerat grindmotstånd R G
Robust husdiod
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Både standard- och industridelar finns tillgängliga
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 5x6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 27 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPL
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, IPD50R