Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4885
- Tillv. art.nr:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
161,28 kr
(exkl. moms)
201,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 190 enhet(er) från den 25 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 16,128 kr | 161,28 kr |
| 50 - 90 | 15,322 kr | 153,22 kr |
| 100 - 240 | 14,694 kr | 146,94 kr |
| 250 - 490 | 14,034 kr | 140,34 kr |
| 500 + | 13,082 kr | 130,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4885
- Tillv. art.nr:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IPA60R | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IPA60R | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Bäst i klassen R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på CoolMOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
ESD-hårdhet på ≥ 2 kV (HBM klass 2)
Integrerat grindmotstånd R G
Robust husdiod
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Både standard- och industridelar finns tillgängliga
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA65R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS