Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4884
- Tillv. art.nr:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 45 enheter)*
725,76 kr
(exkl. moms)
907,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 170 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 45 - 45 | 16,128 kr | 725,76 kr |
| 90 - 180 | 15,322 kr | 689,49 kr |
| 225 - 405 | 14,674 kr | 660,33 kr |
| 450 - 855 | 14,032 kr | 631,44 kr |
| 900 + | 13,062 kr | 587,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4884
- Tillv. art.nr:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IPA60R | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IPA60R | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Bäst i klassen R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på CoolMOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
ESD-hårdhet på ≥ 2 kV (HBM klass 2)
Integrerat grindmotstånd R G
Robust husdiod
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Både standard- och industridelar finns tillgängliga
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA65R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IPA60R
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS