Infineon N Kanal, MOSFET, 7.4 A 1.7 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1

RS-artikelnummer:: 222-4850
Tillv. art.nr:: IMBF170R650M1XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 7.4 A 1.7 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1

Antal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*

25 402,00 kr

(exkl. moms)

31 752,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 04 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	25,402 kr	25 402,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 222-4850
Tillv. art.nr:: IMBF170R650M1XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	7.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	1.7kV
	Serie	IMBF1
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	7
	Maximal drain-källresistans Rds	650mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	23V
	Maximal effektförlust Pd	88W
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 1.7kV
	Serie IMBF1
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 7
	Maximal drain-källresistans Rds 650mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V
	Maximal effektförlust Pd 88W
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IMBF170R650M1XTMA1

Infineon IMBF1-serien MOSFET, 1700 V drain source-spänning, 7,4 A kontinuerlig drain-ström – IMBF170R650M1XTMA1

Denna MOSFET är en högspänningsförstärkare med N-kanal avsedd för strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering och är utformad för att hantera förhöjda spänningar och måttliga kontinuerliga strömmar samtidigt som den fungerar över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• 1700 V drain-source-klassning för högspänningsomkopplingstillämpningar
• 650 mΩ Rds minimerar ledningsförluster vid låga till måttliga strömmar
• 88 W effektförlust medger betydande värmehanteringskapacitet
• 7.4 A kontinuerlig avtappningsström för kontinuerlig strömförsörjning
• −55 °C till 175 °C drift täcker tuffa termiska miljöer
• 23 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler

Användningsområden

• Lämpligt för högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används för switchade nätaggregat vid förhöjda temperaturer
• Kan användas för omkoppling på ledningssidan i strömfördelning
• Används med kylelement på ytmonterade kort

Vilken monteringsstil kräver denna komponent?

Den levereras i en TO-263-kapsel avsedd för ytmontering på ett kretskort med lämpliga termiska jordmönster.

Vilken kanaltyp och vilket läge bör designers förvänta sig?

Enheten använder en N-kanalkonfiguration och arbetar i förstärkningsläge för konventionell gate-driven omkoppling.

Hur påverkar omgivningstemperaturen dess lämplighet?

Det specificerade driftområdet från −55 °C till 175 °C möjliggör användning i miljöer med extrem kyla och hög termisk påfrestning utan att minska värdet över de angivna gränsvärdena.

Vad är den maximalt tillåtna gate-to-source-spänningen?

Den maximala gate-source-spänningen är 23 V, vilket definierar den tillåtna gate-drive-amplituden för säker drift.

Är den utformad enligt fordonsstandarder?

Det är inte specificerat att uppfylla standarder för fordonsindustrin och bör inte antas uppfylla kraven för fordonsindustrin.