Infineon N Kanal, MOSFET, 5.4 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

134,40 kr

(exkl. moms)

168,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 240 enhet(er) levereras från den 08 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1867,20 kr134,40 kr
20 - 19860,48 kr120,96 kr
200 - 99855,775 kr111,55 kr
1000 - 199851,69 kr103,38 kr
2000 +46,31 kr92,62 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-108
Tillv. art.nr:
IMWH170R1K0M1XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

1700V

Kapseltyp

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Serie

CoolSiC

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

880mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

15V

Maximal effektförlust Pd

70W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.5nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Infineon CoolSiC-serien MOSFET, 1700 V drain-källspänning, 5,4 A kontinuerlig drain-ström – IMWH170R1K0M1XKSA1


Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet av kiselkarbid som är utformad för högspänningsströmomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och monteras via genomgående hål för att ge robust termisk kontakt och enkel montering i strömmoduler och diskreta kort.

Funktioner och fördelar:


• Maximal dränering-källspänning på 1700 V möjliggör högspänningsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 5.4 A stöder måttliga effektbelastningar
• Maximal effektförlust på 70 W hanterar betydande värmebelastning
• 880 mΩ avtappnings- och källmotstånd minskar ledningsförluster
• 5,5 nC typisk grindladdning möjliggör snabba grindövergångar
• 15 V gate-source-gränsen skyddar gate-drivkretsar

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsomvandlare
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används med batterihantering i högspänningssystem
• Kan användas för växelriktarsteg för förnybar energi
• Lämplig för laboratorieaggregat och testanläggningar

Vilken monteringsmetod krävs för installationer?


Den använder en genomgående hålkapsling som är kompatibel med handlödning och våglödning och erbjuder solid mekanisk förankring för kylelement.

Hur klarar enheten förhöjda omgivningstemperaturer?


Komponenten är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med bred termisk variation och möjliggör konstruktioner med konservativ nedgradering under hela livslängden.

Vilken elektrisk polaritet och vilket kontrollläge bör designers förvänta sig?


Det är en N-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge, vilket kräver en positiv gate-source-enhet i förhållande till källan för att slå på.

Finns det några lagstadgade materialbegränsningar som är relevanta för upphandling?


Delen är tillverkad för att vara RoHS-kompatibel och uppfylla restriktioner för vissa farliga ämnen för elektroniska komponenter.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.