Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-109
- Tillv. art.nr:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
94,30 kr
(exkl. moms)
117,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 240 enhet(er) levereras från den 08 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 94,30 kr |
| 10 - 99 | 84,90 kr |
| 100 - 499 | 78,40 kr |
| 500 - 999 | 72,58 kr |
| 1000 + | 65,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-109
- Tillv. art.nr:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1700V | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 390mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 15V | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1700V | ||
Kapseltyp PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 390mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 15V | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon CoolSiC-serien MOSFET, 1700 V drain-källspänning, 10 A kontinuerlig drain-ström – IMWH170R450M1XKSA1
Denna MOSFET är en effekttransistor av kiselkarbid som är utformad för högspänningsswitchning i krävande elektroniska system. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet i en 3-stifts PG-TO-247-kapsel med genomgående hål, vilket möjliggör enkel montering och värmehantering för effektsteg. Enheten passar för miljöer som kräver bred temperaturtolerans och RoHS-kompatibel konstruktion.
Funktioner och fördelar:
• 1700 V drain‐source-klassning möjliggör högspänningsväxlingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 10 A stöder kontinuerligt strömflöde
• Maximal effektförlust på 111 W förbättrar värmehanteringen i tillämpningar
• 390 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 11,7 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsenergi
• Motståndskraft mot ±15 V gate-källa förenklar drivspänningskonstruktionen
• Kontinuerlig dräneringsström på 10 A stöder kontinuerligt strömflöde
• Maximal effektförlust på 111 W förbättrar värmehanteringen i tillämpningar
• 390 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 11,7 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsenergi
• Motståndskraft mot ±15 V gate-källa förenklar drivspänningskonstruktionen
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsomvandlartopologier i strömförsörjningar
• Idealisk för switchade strömförsörjningssystem i industriell utrustning
• Används med växelriktare som kräver hög spänningsbrytning
• Kan användas för hårt växlande steg i motorstyrningselektronik
• Användbar för laboratorieprototyper där genomgående hålmontering föredras
• Idealisk för switchade strömförsörjningssystem i industriell utrustning
• Används med växelriktare som kräver hög spänningsbrytning
• Kan användas för hårt växlande steg i motorstyrningselektronik
• Användbar för laboratorieprototyper där genomgående hålmontering föredras
Vilket temperaturområde kan den tolerera i drift?
Den fungerar i ett brett intervall från -55 °C upp till 175 °C och klarar tuffa termiska förhållanden.
Hur många stift och vilken monteringsstil använder den?
Komponenten har tre stift och ett genomgående hål i en PG-TO-247 3-stiftskapsling för fästning av kretskort.
Vilka överensstämmelser eller godkännanden gäller för denna enhet?
Den uppfyller RoHS-kraven för begränsade ämnen.
Vilka gränsspänningsgränser bör observeras under designen?
Gate-to-source-spänningen får inte överstiga ±15 V (15 V i storlek) för att undvika enhetsbelastning.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100