Infineon N Kanal, MOSFET, 320 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
222-4605
Tillv. art.nr:
AUIRF2804STRL7P
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

320A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

1.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

170nC

Maximal effektförlust Pd

330W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.65mm

Höjd

4.83mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineons effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselområde. Ytterligare funktioner i denna design är en kopplingsdriftstemperatur på 175 °C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning. Dessa funktioner kombinerar för att göra denna design till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet för användning i fordonstillämpningar och ett brett utbud av andra tillämpningar.

Avancerad processteknik

Ultralågt motstånd vid påslagning, snabb omkoppling

Blyfri, RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.