ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101

För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
222-4383
Tillv. art.nr:
SP8M51HZGTB
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

SP8M5

Kapseltyp

SOP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

29mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Bredd

6mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.75mm

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM SP8M51HZG dubbel (Nch+Pch) strömförsörjning är felaktig för omkopplingsströmförsörjning.

Låg på-resistans

Litet ytmonterat paket (SOP8)

Blyfri plätering; RoHS-kompatibel

Halogenfri

Sn100 % plätering

AEC-Q101-kvalificerad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.