ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
222-4383
Tillv. art.nr:
SP8M51HZGTB
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Antal element per chip

1

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Transistorkonfiguration

Dubbel

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

3 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

100 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

8

Kapseltyp

SOP

Serie

SP8M5

Fordonsstandard

AEC-Q101

Framåtriktad spänning (Vf)

1.2 V

Höjd

1.75 mm

Längd

5 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

29 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

2 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

No

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

12.5 nC

Bredd

6 mm

The ROHM SP8M51HZG dual (Nch+Pch) power misfit for switching power supply.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package (SOP8)

Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Halogen Free

Sn100% plating

AEC-Q101 Qualified

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.