ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M4 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4382
- Tillv. art.nr:
- SP8M4HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
159,26 kr
(exkl. moms)
199,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 180 enhet(er) levereras från den 28 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 31,852 kr | 159,26 kr |
| 50 - 95 | 27,866 kr | 139,33 kr |
| 100 - 245 | 24,774 kr | 123,87 kr |
| 250 - 995 | 22,288 kr | 111,44 kr |
| 1000 + | 21,818 kr | 109,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4382
- Tillv. art.nr:
- SP8M4HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Serie | SP8M4 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOP | ||
Serie SP8M4 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM SP8M4HZG n MOSFET av fordonskvalitet som är EC-Q101-kvalificerad. 30 V-MOSFET:er med ESD-skyddsdiod ingår i SOP8-kapseln. Idealisk för omkopplingstillämpningar.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (SOP8)
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
AEC-Q101-kvalificerad
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M4 AEC-Q101
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M3 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M21 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K22 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K24 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K52 AEC-Q101