ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M3 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4380
- Tillv. art.nr:
- SP8M3HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
135,74 kr
(exkl. moms)
169,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,574 kr | 135,74 kr |
| 50 - 90 | 13,294 kr | 132,94 kr |
| 100 - 240 | 12,074 kr | 120,74 kr |
| 250 - 990 | 10,83 kr | 108,30 kr |
| 1000 + | 10,64 kr | 106,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4380
- Tillv. art.nr:
- SP8M3HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | SP8M3 | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 56mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie SP8M3 | ||
Kapseltyp SOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 56mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM SP8M3HZG n MOSFET av fordonskvalitet som är EC-Q101-kvalificerad. 30 V-MOSFET:er med ESD-skyddsdiod ingår i SOP8-kapseln. Idealisk för omkopplingstillämpningar.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (SOP8)
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Halogenfri
Sn100 % plätering
AEC-Q101-kvalificerad
Relaterade länkar
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M3 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M4 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M21 AEC-Q101
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MB