DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, DMT
- RS-artikelnummer:
- 222-2883
- Tillv. art.nr:
- DMT69M5LH3
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
173,63 kr
(exkl. moms)
217,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 6,945 kr | 173,63 kr |
| 50 - 75 | 6,801 kr | 170,03 kr |
| 100 - 475 | 4,807 kr | 120,18 kr |
| 500 - 975 | 4,001 kr | 100,03 kr |
| 1000 + | 3,535 kr | 88,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2883
- Tillv. art.nr:
- DMT69M5LH3
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | DMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 6.1mm | |
| Bredd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie DMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 6.1mm | ||
Bredd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Låg på-resistans
Låg ingångskapacitans
Liten formfaktor, värmeeffektivt paket möjliggör slutprodukter med högre densitet
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 16.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VDFN, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 31.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 68.8 A 100 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 14.1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT AEC-Q101