DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 292 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2694
- Tillv. art.nr:
- 2N7002EQ-7-F
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
21,90 kr
(exkl. moms)
27,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 050 enhet(er) från den 05 juni 2026
- Dessutom levereras 1 600 enhet(er) från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,438 kr | 21,90 kr |
| 100 - 200 | 0,428 kr | 21,40 kr |
| 250 - 450 | 0,414 kr | 20,70 kr |
| 500 - 950 | 0,403 kr | 20,15 kr |
| 1000 + | 0,396 kr | 19,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2694
- Tillv. art.nr:
- 2N7002EQ-7-F
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 292mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 292mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie 2N7002 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 292 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 220 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 380 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 261 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100