onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBL050N65S
- RS-artikelnummer:
- 221-6705
- Tillv. art.nr:
- NTBL050N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 221-6705
- Tillv. art.nr:
- NTBL050N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 49A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | NTBL050N65S | |
| Kapseltyp | H-PSOF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 98nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 305W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 11.47mm | |
| Längd | 10.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie NTBL050N65S | ||
Kapseltyp H-PSOF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 305W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 11.47mm | ||
Längd 10.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET har en högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre grindladdningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ger överlägsen omkopplingsprestanda och tål extrema dv/dt-hastigheter.
Ultralåg grindladdning
låg effektiv utgångskapacitans 909 pF
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBL050N65S
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, H-PSOF, SUPERFET III
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 470 A 60 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBLS0D7N06C
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 100 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, FDBL AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS8D0N04C
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 241.3 A 80 V N, 8 Ben, H-PSOF
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263