onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS8D0N04C
- RS-artikelnummer:
- 195-2527
- Tillv. art.nr:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (30 enheter, i en förpackning med 30)*
387,30 kr
(exkl. moms)
484,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 12,91 kr | 387,30 kr |
| 120 - 270 | 11,129 kr | 333,87 kr |
| 300 + | 9,651 kr | 289,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 195-2527
- Tillv. art.nr:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 49A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | NTMYS8D0N04C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie NTMYS8D0N04C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.15mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Industriell effekt-MOSFET i ett 5 x 6 mm LFPAK-paket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda.
Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design
Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster
Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster
LFPAK4-paket, industristandard
Dessa enheter är blyfria
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS8D0N04C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 71 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS5D3N04C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS0D9N04CL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D0N04C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 250 A 60 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D6N06CL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 258 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMYS1D2N04CL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 262 A 60 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D4N06CL