onsemi N Kanal, MOSFET, 241.3 A 80 V N, 8 Ben, H-PSOF
- RS-artikelnummer:
- 229-6503
- Tillv. art.nr:
- NVBLS1D7N08H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 155,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
113,46 kr
(exkl. moms)
141,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 56,73 kr | 113,46 kr | - |
| 20 - 198 | 48,945 kr | 97,89 kr | 155,70 kr |
| 200 - 998 | 42,335 kr | 84,67 kr | 2 879,00 kr |
| 1000 + | 37,295 kr | 74,59 kr | 19 435,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-6503
- Tillv. art.nr:
- NVBLS1D7N08H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 241.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | H-PSOF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 121nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 237.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Höjd | 13.28mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 241.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp H-PSOF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 121nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 237.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.4mm | ||
Höjd 13.28mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductors fordonseffekts MOSFET i ett TOLL-paket för effektiva konstruktioner med hög termisk prestanda. Den har en dräneringsström på 241.3 A.
Minimera ledningsförluster
Minimera drivförluster
Låg påslagningsresistans
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 241.3 A 80 V N, 8 Ben, H-PSOF
- onsemi N Kanal, MOSFET, 470 A 60 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBLS0D7N06C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBL050N65S
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, H-PSOF, SUPERFET III
- onsemi N Kanal, MOSFET, 240 A 100 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, FDBL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 61 A 80 V N, 8 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 203 A 80 V N, 8 Ben, M0-299A, NBTLS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 32 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, NTMFS006N08MC