Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7482
- Tillv. art.nr:
- IRFH5300TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
23 312,00 kr
(exkl. moms)
29 140,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 5,828 kr | 23 312,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7482
- Tillv. art.nr:
- IRFH5300TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.75mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 900μm | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.75mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 900μm | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IRFH5300 är en stark effekt-MOSFET-familj som är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Logiknivå: optimerad för 5 V gate-driven spänning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 25 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 159 A 40 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.60 A 30 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 20 V Förbättring, PQFN, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET