Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7480
- Tillv. art.nr:
- IRFH3707TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 220-7480
- Tillv. art.nr:
- IRFH3707TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | Lead-Free, RoHS | |
| Bredd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden Lead-Free, RoHS | ||
Bredd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Strong IRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Ytmonteringspaket enligt industristandard
Potentiellt alternativ till SuperSO8-kapsel med hög RDS(on)
Stor tillgänglighet från distributionspartners
Kvalifikationsnivå enligt branschstandard
Standardstiftuttag gör att den kan bytas ut direkt
Liten formfaktor
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 25 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET