Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 5.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 220-7445
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
165,30 kr
(exkl. moms)
206,625 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 225 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 6,612 kr | 165,30 kr |
| 250 - 600 | 6,286 kr | 157,15 kr |
| 625 - 1225 | 6,146 kr | 153,65 kr |
| 1250 - 2475 | 5,748 kr | 143,70 kr |
| 2500 + | 4,628 kr | 115,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7445
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 17.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Bredd | 2.38mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 17.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Bredd 2.38mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon Cool MOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. Den senaste Cool MOS P7 är en optimerad plattform skräddarsydd för kostnadskänsliga tillämpningar på konsumentmarknaden som laddare, adapter, belysning, TV, etc. Den nya serien ger alla fördelar med en snabb switching super junction MOSFET, kombinerat med ett utmärkt pris/prestanda-förhållande och toppmodern användarvänlighet. Tekniken uppfyller de högsta effektivitetsstandarderna och stöder hög effekttäthet, vilket gör det möjligt för kunder att gå mot mycket smala konstruktioner.
Extremt låga förluster på grund av låg återvinning FOMRDS(on)*Qgand RDS(on)*Eoss
Utmärkt termiskt beteende
Integrerad ESD-skyddsdiod
Låga omkopplingsförluster (Eoss)
Produktvalidering a cc. JEDEC-standard
Kostnadskonkurrenskraftig teknik
Lägre temperatur
Hög ES-kvalitet
Möjliggör effektivitetsökningar vid högre omkopplingsfrekvenser
Möjliggör design med hög effekttäthet och små formfaktorer
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 5.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS