Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-9109
- Tillv. art.nr:
- IPS80R900P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 75 enheter)*
655,50 kr
(exkl. moms)
819,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 425 enhet(er) från den 02 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 75 + | 8,74 kr | 655,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9109
- Tillv. art.nr:
- IPS80R900P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 2.35mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 2.35mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons senaste 800 V CoolMOS P7-serie sätter en ny riktmärke inom 800 V superkopplingsteknik och kombinerar klassens bästa prestanda med toppmodern användarvänlighet, vilket är resultatet av Infineons mer än 18 års pionjärerande innovation inom superkopplingsteknik. De är lätta att driva och parallellkoppla, vilket möjliggör design med högre effekttäthet, BOM-besparingar och lägre monteringskostnader.
Helt optimerad portfölj
Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 5.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS