Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 82 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Infineons OptiMOS N-kanals effekt-MOSFET är utvecklade för att öka effektiviteten, effekttätheten och kostnadseffektiviteten. Utformade för högpresterande tillämpningar och optimerade för hög omkopplingsfrekvens, OptiMOS-produkter övertygar med branschens bästa meritfaktor. OptiMOS Power MOSFET-portföljen, som nu kompletteras med Strong IRFET, skapar en verkligt kraftfull kombination. Dra nytta av en perfekt matchning av robust och utmärkt pris/prestanda av starka IRFET MOSFET-transistorer och klassens bästa teknik av OptiMOS MOSFET-transistorer. Båda produktfamiljerna uppfyller de högsta kvalitetsstandarderna och prestandakrav. Den gemensamma portföljen, som täcker spänningar från 12 V upp till 300 V MOSFET, kan hantera ett brett spektrum av behov från låga till höga omkopplingsfrekvenser som SMPS, batteridrivna tillämpningar, motorstyrning och drivenheter, växelriktare och databehandling.

Optimerad för högpresterande SMPS, t. ex. sync.rec.