Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 82 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 220-7355
- Tillv. art.nr:
- BSC061N08NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
130,26 kr
(exkl. moms)
162,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 960 enhet(er) från den 24 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,026 kr | 130,26 kr |
| 50 - 90 | 12,376 kr | 123,76 kr |
| 100 - 240 | 11,85 kr | 118,50 kr |
| 250 - 490 | 11,334 kr | 113,34 kr |
| 500 + | 10,55 kr | 105,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7355
- Tillv. art.nr:
- BSC061N08NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 82A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 74W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.35mm | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 82A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximal effektförlust Pd 74W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.35mm | ||
Höjd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.
Optimized for high performance SMPS ,e.g. sync.rec.
100%avalanchetested
Superior thermal resistance
N-channel
QualifiedaccordingtoJEDEC1)for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 82 A 80 V Förbättring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal 137 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 16 A 300 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 205 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 74 A 80 V Förbättring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon Typ N Kanal 131 A 80 V Förbättring TDSON, OptiMOS-TM5
