Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 205 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 220-7350
- Tillv. art.nr:
- BSC014N04LSTATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
126,34 kr
(exkl. moms)
157,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 455 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,268 kr | 126,34 kr |
| 50 - 120 | 20,944 kr | 104,72 kr |
| 125 - 245 | 19,756 kr | 98,78 kr |
| 250 - 495 | 18,188 kr | 90,94 kr |
| 500 + | 16,912 kr | 84,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7350
- Tillv. art.nr:
- BSC014N04LSTATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 205A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Längd | 5.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 205A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.2mm | ||
Längd 5.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekt-MOSFET i SuperSO8-paket erbjuder den senaste tekniken tillsammans med temperaturförbättringar i paketet. Denna nya kombination möjliggör högre effekttäthet samt förbättrad robusthet. Jämfört med enheter med lägre klassning erbjuder 175 °C TJ_MAX-funktionen antingen mer effekt vid en högre driftskopplingstemperatur eller längre livslängd vid samma driftskopplingstemperatur. Dessutom uppnås en 20 % förbättring i det säkra driftsområdet (SOA). Den här nya förpackningsfunktionen passar perfekt för tillämpningar som telekommunikation, motordrivenheter och servrar.
Låg RDS(on)
Optimerad för synkron likriktare
Förbättrad 175 °C-kapacitet i SuperSO8
Längre livslängd
Högsta effektivitet och effekttäthet
Högsta systemtillförlitlighet
Termisk robusthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 205 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 137 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 16 A 300 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 82 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 90 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET och diod, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS