Infineon N Kanal, MOSFET, 236 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- RS-artikelnummer:
- 219-6021
- Tillv. art.nr:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 44,25 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
110,77 kr
(exkl. moms)
138,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 110,77 kr | - |
| 5 - 9 | 101,92 kr | 44,25 kr |
| 10 - 24 | 95,20 kr | 155,70 kr |
| 25 - 49 | 88,59 kr | 554,50 kr |
| 50 + | 81,87 kr | 1 445,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-6021
- Tillv. art.nr:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 236A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 37mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 136nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 236A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 37mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 136nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 21.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 5.21mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IPW60R037CSFD CoolMOS superjunction MOSFET är en optimerad enhet som är skräddarsydd för marknadssegmentet för off-board-EV-laddning. Tack vare låg grindladdning (Qg) och förbättrat omkopplingsbeteende erbjuder den högsta effektivitet på den riktade marknaden. Utöver det kommer den tillsammans med en integrerad snabb kroppsdiod och enormt reducerad omvänd återhämtningsladdning (Qrr) som leder till högsta tillförlitlighet i resonanta topologier. Tack vare dessa funktioner uppfyller IPW60R037CSFD effektivitets- och tillförlitlighetsstandarderna på marknaden för off-board-EV-laddstationer och stöder dessutom lösningar med hög effekttäthet.
Ultrasnabb kroppsdiod
Klassens bästa omvänd återställningsladd (Qrr)
Förbättrad omvänd diod dv/dt och dif/dt robusthet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 236 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 360 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 111 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 206 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 386 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7