Infineon N Kanal, MOSFET, 236 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-6021
Tillv. art.nr:
IPW60R037CSFDXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

236A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-247

Serie

CoolMOS CSFD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

37mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

136nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

245W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

21.1mm

Längd

16.13mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

5.21mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IPW60R037CSFD CoolMOS superjunction MOSFET är en optimerad enhet som är skräddarsydd för marknadssegmentet för off-board-EV-laddning. Tack vare låg grindladdning (Qg) och förbättrat omkopplingsbeteende erbjuder den högsta effektivitet på den riktade marknaden. Utöver det kommer den tillsammans med en integrerad snabb kroppsdiod och enormt reducerad omvänd återhämtningsladdning (Qrr) som leder till högsta tillförlitlighet i resonanta topologier. Tack vare dessa funktioner uppfyller IPW60R037CSFD effektivitets- och tillförlitlighetsstandarderna på marknaden för off-board-EV-laddstationer och stöder dessutom lösningar med hög effekttäthet.

Ultrasnabb kroppsdiod

Klassens bästa omvänd återställningsladd (Qrr)

Förbättrad omvänd diod dv/dt och dif/dt robusthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.