Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- RS-artikelnummer:
- 753-3059
- Tillv. art.nr:
- IPW60R041C6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 51,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
209,22 kr
(exkl. moms)
261,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 209,22 kr | - |
| 5 - 9 | 199,02 kr | 51,00 kr |
| 10 - 24 | 194,66 kr | 145,60 kr |
| 25 - 49 | 182,11 kr | 677,75 kr |
| 50 + | 169,34 kr | 1 994,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 753-3059
- Tillv. art.nr:
- IPW60R041C6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 77A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 481W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 290nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 77A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 481W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 290nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.21mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10.6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 23.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS