Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- RS-artikelnummer:
- 753-3059
- Tillv. art.nr:
- IPW60R041C6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
122,22 kr
(exkl. moms)
152,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 238 enhet(er) levereras från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 122,22 kr |
| 5 - 9 | 116,21 kr |
| 10 - 24 | 113,62 kr |
| 25 - 49 | 106,36 kr |
| 50 + | 98,92 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 753-3059
- Tillv. art.nr:
- IPW60R041C6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 77A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 481W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 290nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 77A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 481W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 290nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS