Infineon N Kanal, MOSFET, 360 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- RS-artikelnummer:
- 219-6016
- Tillv. art.nr:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (30 enheter, i ett rör med 30)*
2 819,04 kr
(exkl. moms)
3 523,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 93,968 kr | 2 819,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-6016
- Tillv. art.nr:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 360A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 320W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 183nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 360A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 320W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 183nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 21.1mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.21mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 i 600 V är idealiskt lämpad för resonanta topologier i högeffekts SMPS, t. ex. server-, telekom- och EV-laddstationer, där det möjliggör betydande effektivitetsförbättringar. Som efterföljare till CFD2 SJ MOSFET-familjen levereras den med minskad grindladdning, förbättrat avstängningsbeteende och upp till 69 % minskad omvänd återställningsladdning jämfört med konkurrenter.
Ultrasnabb kroppsdiod
Klassens bästa omvänd återställningsladd (Qrr)
Förbättrad omvänd diod dv/dt och dif/dt robusthet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 360 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 236 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 111 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3