STMicroelectronics 1, MOSFET, 90 A 1200 V, 7 Ben, H2PAK-7, SCTH70N

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
219-4223
Tillv. art.nr:
SCTH70N120G2V-7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

H2PAK-7

Serie

SCTH70N

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

0.21Ω

Antal element per chip

1

STMicroelectronics kiselkarbid-effekt-MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 2:a generationens Sic MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av omkopplingsförlusten är nästan oberoende av samlingstemperaturen.

Mycket hög driftstemperatur (TJ = 175 °C)

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.