STMicroelectronics 1, MOSFET, 90 A 1.2 kV, 7 Ben, H2PAK-7, SCTH70N

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
219-4223
Tillv. art.nr:
SCTH70N120G2V-7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Antal element per chip

1

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

90 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

1.2 kV

Antal ben

7

Kapseltyp

H2PAK-7

Serie

SCTH70N

Maximal drain-källresistans (Rds)

0.21 Ω

Typ av fäste

Yta

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.