Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 218-3126
- Tillv. art.nr:
- IRFU7546PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 218-3126
- Tillv. art.nr:
- IRFU7546PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 71A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.9mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 99W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 71A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.9mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximal effektförlust Pd 99W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
<
Blyfri, RoHS-kompatibel
Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET