Infineon N Kanal, MOSFET, 426 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRFS7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

10 556,80 kr

(exkl. moms)

13 196,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +13,196 kr10 556,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3121
Tillv. art.nr:
IRFS7430TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

426A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-263

Serie

IRFS7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

460nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

375W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.83mm

Höjd

9.65mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien 40 V enkel N-kanal effekt-MOSFET. Den har D2PAK (TO-263)-typpaket. Den är lämplig för tillämpningar där omkopplingen är mindre än 100 KHz.

Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt

Blyfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.