Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-TM3
- RS-artikelnummer:
- 218-3041
- Tillv. art.nr:
- IPD135N08N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
249,76 kr
(exkl. moms)
312,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 340 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 12,488 kr | 249,76 kr |
| 100 - 180 | 11,861 kr | 237,22 kr |
| 200 - 480 | 11,357 kr | 227,14 kr |
| 500 - 980 | 10,859 kr | 217,18 kr |
| 1000 + | 10,114 kr | 202,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3041
- Tillv. art.nr:
- IPD135N08N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 79W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 79W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM-serien N-kanals effekt-MOSFET. OptiMOSTM är marknadsledande inom mycket effektiva lösningar för strömgenerering (t. ex. solcellsmikroväxelriktare), strömförsörjning (t. ex. server och telekom) och strömförbrukning (t. ex. elfordon).
N-kanal, normal nivå
100 % avalanche-testade
Blyfri plätering
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V N, 3 Ben, PG-TO-220, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V N, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3