Infineon N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 218-3031
- Tillv. art.nr:
- IPB073N15N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
282,80 kr
(exkl. moms)
353,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 380 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 56,56 kr | 282,80 kr |
| 10 - 20 | 50,916 kr | 254,58 kr |
| 25 - 45 | 47,488 kr | 237,44 kr |
| 50 - 120 | 44,084 kr | 220,42 kr |
| 125 + | 40,746 kr | 203,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3031
- Tillv. art.nr:
- IPB073N15N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 114A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.3mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 114A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.3mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 150 V drain-källspänning, 114 A kontinuerlig drain-ström – IPB073N15N5ATMA1
Denna MOSFET är en högeffektshalvledarenhet som är utformad för omkoppling och strömhantering i krävande elektroniska system. Den fungerar som en N-kanalstransistor i en TO-263-kapsel för ytmontering, avsedd för tillämpningar som kräver betydande strömförsörjning och värmehantering över ett brett temperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• 150 V avtappningsklassning för högspänningsomkopplingsförmåga
• 114 A kontinuerlig dräneringsström för användning med hög belastning
• 7.3 mΩ Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 214 W effektförlust möjliggör långvarig termisk belastning
• 1,1 V framspänning ger effektivt ledningsbeteende
• 20 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• 114 A kontinuerlig dräneringsström för användning med hög belastning
• 7.3 mΩ Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 214 W effektförlust möjliggör långvarig termisk belastning
• 1,1 V framspänning ger effektivt ledningsbeteende
• 20 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög ström
• Används med strömhanteringsmoduler i industriella system
• Kan användas för synkronlikriktelse i omvandlare
• Lämplig för högspänningsomkoppling i telekommunikationsutrustning
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög ström
• Används med strömhanteringsmoduler i industriella system
• Kan användas för synkronlikriktelse i omvandlare
• Lämplig för högspänningsomkoppling i telekommunikationsutrustning
Vilket grindspänningsområde kan jag säkert tillämpa?
Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa utan att överskrida den specificerade grindtoleransen.
Vilka termiska extremer tål enheten under drift?
Den är klassad för drift från −55 °C upp till +175 °C över sitt specificerade termiska intervall.
Hur påverkar förpackningen montering och kylning av kortet?
Ytmonteringsformatet TO-263 möjliggör lödning av värmekontakt till kopparplan för värmespridning och automatiserad pick-and-place-montering.
Vilken kanalledningstyp och orientering använder den?
Den använder en N-typ-kanal konfigurerad för standardförbättringslägesväxling i strömkretsar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 166 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 177 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3