Infineon N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 218-3031
- Tillv. art.nr:
- IPB073N15N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
282,80 kr
(exkl. moms)
353,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 380 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 56,56 kr | 282,80 kr |
| 10 - 20 | 50,916 kr | 254,58 kr |
| 25 - 45 | 47,488 kr | 237,44 kr |
| 50 - 120 | 44,084 kr | 220,42 kr |
| 125 + | 40,746 kr | 203,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3031
- Tillv. art.nr:
- IPB073N15N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 114A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.3mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 114A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.3mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM5 N-kanals effekt-MOSFET. OptiMOSTM 5 150 V effekt-MOSFET: er från Infineon är särskilt lämpliga för lågspänningsdrivare som gaffeltruckar och e-scooter, samt telekom- och solenergitillämpningar.
Utmärkt grindladdning x RDS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg på-resistans RDS(on)
Mycket låg omvänd återställningsladd (Qrr)
175 °C driftstemperatur
Blyfri plätering
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 114 A 150 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 177 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5