Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 218-3003
- Tillv. art.nr:
- IPA60R1K5CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
227,80 kr
(exkl. moms)
284,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 9,112 kr | 227,80 kr |
| 125 - 225 | 7,105 kr | 177,63 kr |
| 250 - 600 | 6,657 kr | 166,43 kr |
| 625 - 1225 | 6,20 kr | 155,00 kr |
| 1250 + | 5,743 kr | 143,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3003
- Tillv. art.nr:
- IPA60R1K5CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 49W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 13.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 29.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 49W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 13.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 29.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOSTM CE-serien N-kanals effekt-MOSFET. Det ger låga lednings- och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen. Denna MOSFET används i PFC-steg, hårt omkopplande PWM-steg och resonanta omkopplingssteg, t. ex. för PC Silverbox, adapter, LCD- och PDP-TV och inomhusbelysning.
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Lätt att använda/drivning
Blyfri plätering, halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 600 V, 3 Ben, IPAK, 600V CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V, 3 Ben, TO-251, 600V CoolMOS CE