Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 218-2982
- Tillv. art.nr:
- BSP88H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
308,45 kr
(exkl. moms)
385,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 850 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 19 november 2026
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 21 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 + | 6,169 kr | 308,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-2982
- Tillv. art.nr:
- BSP88H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 240V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | BSP88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 240V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie BSP88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon BSP88-serien MOSFET, 240 V maximal drain-källspänning, 1,8 W maximal effektförlust – BSP88H6327XTSA1
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och styrning i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för fordonstillämpningar och ger förstärkningslägesväxling med grindskydd som är lämpligt för typiska styrspänningar.
Funktioner och fördelar:
• 240 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Maximal Rds på 6 Ω minskar ledningsförluster i kretsar med låg ström
• Kontinuerlig dräneringsström på 350 mA stöder måttliga strömbelastningar
• 4.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar
• 1,8 W effektförlust klarar måttliga termiska belastningar
• 20 V gate-source-gränsen ger definierad gate-skyddsmarginal
• Maximal Rds på 6 Ω minskar ledningsförluster i kretsar med låg ström
• Kontinuerlig dräneringsström på 350 mA stöder måttliga strömbelastningar
• 4.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar
• 1,8 W effektförlust klarar måttliga termiska belastningar
• 20 V gate-source-gränsen ger definierad gate-skyddsmarginal
Användningsområden
• Lämplig för sensorer för fordonsgränssnittskretsar
• Idealisk för isolerade högspänningsstyrsteg
• Används med batterihantering eller extra system
• Kan användas för sekvensering av ström på kortnivå
• Lämplig för styrning av motordrivare med låg effekt
• Idealisk för isolerade högspänningsstyrsteg
• Används med batterihantering eller extra system
• Kan användas för sekvensering av ström på kortnivå
• Lämplig för styrning av motordrivare med låg effekt
Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?
Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C.
Hur är enheten avsedd att monteras på ett kretskort?
Den levereras i en SOT-223-kapsel för ytmontering.
Vilket antal förpackningsstift ska designers förvänta sig?
Det finns fyra stift för kretsanslutningar.
Vilken kanaltyp och vilket läge definierar dess omkopplingsbeteende?
Det är en N-kanal-enhet som arbetar i förstärkningsläge.
Vilken fordonsstandard uppfyller den för kvalificering?
Den uppfyller AEC-Q101-standarden för fordonskomponenter.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
