Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 2000 till för att spara 9%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

2 822,00 kr

(exkl. moms)

3 528,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 000 enhet(er) levereras från den 12 november 2026
  • Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 14 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
Besparing
1000 - 10002,822 kr2 822,00 kr-
2000 - 40002,54 kr2 540,00 kr9%
5000 +2,399 kr2 399,00 kr14%

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-2981
Distrelec artikelnummer:
304-39-399
Tillv. art.nr:
BSP88H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350mA

Maximal källspänning för dränering Vds

240V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

BSP88

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

6Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.5nC

Maximal effektförlust Pd

1.8W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.7mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.7mm

Höjd

1.8mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon BSP88-serien MOSFET, 240 V maximal drain-källspänning, 1,8 W maximal effektförlust – BSP88H6327XTSA1


Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och styrning i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för fordonstillämpningar och ger förstärkningslägesväxling med grindskydd som är lämpligt för typiska styrspänningar.

Funktioner och fördelar:


• 240 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Maximal Rds på 6 Ω minskar ledningsförluster i kretsar med låg ström
• Kontinuerlig dräneringsström på 350 mA stöder måttliga strömbelastningar
• 4.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar
• 1,8 W effektförlust klarar måttliga termiska belastningar
• 20 V gate-source-gränsen ger definierad gate-skyddsmarginal

Användningsområden


• Lämplig för sensorer för fordonsgränssnittskretsar
• Idealisk för isolerade högspänningsstyrsteg
• Används med batterihantering eller extra system
• Kan användas för sekvensering av ström på kortnivå
• Lämplig för styrning av motordrivare med låg effekt

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?


Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C.

Hur är enheten avsedd att monteras på ett kretskort?


Den levereras i en SOT-223-kapsel för ytmontering.

Vilket antal förpackningsstift ska designers förvänta sig?


Det finns fyra stift för kretsanslutningar.

Vilken kanaltyp och vilket läge definierar dess omkopplingsbeteende?


Det är en N-kanal-enhet som arbetar i förstärkningsläge.

Vilken fordonsstandard uppfyller den för kvalificering?


Den uppfyller AEC-Q101-standarden för fordonskomponenter.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.