Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 218-2981
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-399
- Tillv. art.nr:
- BSP88H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
2 029,00 kr
(exkl. moms)
2 536,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 2,029 kr | 2 029,00 kr |
| 2000 - 4000 | 1,827 kr | 1 827,00 kr |
| 5000 + | 1,725 kr | 1 725,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-2981
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-399
- Tillv. art.nr:
- BSP88H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 240V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | BSP88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 240V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie BSP88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons småsignal/små effekt-MOSFET. Alla små signal-n-kanalprodukter är lämpliga för fordonstillämpningar (förutom 2N7002).
Förbättringsläge
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101